• 专业因知识而累积
  • - 技术原理 -
    2020.Mar.11

    膜厚仪 利用FT150 / FT160膜厚元素分析仪测量晶圆凸块中锡银浓度比例

    晶圆凸块(wafer bumping)简称凸块。一般可分为金凸块(Gold bumping)及锡银凸块(Solder bumping)两大类,两种制程都需利用半导体制程. 金凸块制程常用金(Au)或是铜镍金(Cu-Ni-Au)整体比锡凸块要来得简单,锡凸块现在都用无铅焊锡(Lead Free), 无铅焊锡常用, 锡银Sn-Ag, 锡银铜Sn-Ag-Cu作为无铅焊锡广泛使用在PCB, Bump上。

  • - 技术原理 -
    2020.Mar.04

    膜厚仪 使用FT150 / FT160测量手机、车载片式原器件Ni/Sn电极膜厚应用案例

    智能手机或车载计算机等使用的片式元器件,由于产品的小型化和多功能化,更加追求高密度的安装,部件本身也变得越来越小。它们中电极部分使用Sn和Ni双层膜的情况较多,因此对其膜厚管理的追求也越高

  • - 技术原理 -
    2020.Feb.26

    膜厚仪 FT150 / FT160测量基板中超薄镀镍钯金Ni / Pd / Au层的厚度

    芯片功能持续增加但体绩持续缩小,PCB上必须增加更多芯片,电子封装技术也发展出各种封装技术及方法,能同一基板上增加集成电路(IC)的数量及种类, 达到线路密集多功化之需求,但要有这些优点都架构在每层镀层厚度都有良好控制之下, 那么如何对这些极薄的贵金属镀层进行无损化分析及质量管控呢?

  • - 技术原理 -
    2020.Feb.19

    膜厚仪 利用FT150 / FT160测量陶瓷芯片部件中Sn/Ni 双层膜

    作为层压陶瓷片式原器件电容器的代表,陶瓷片式原器件在智慧手机及车载计算机等的无中心部件的一种。近几年,由于产品的小型化多功能化,我们一步步进入高密度安装时代,部件本身就已经非常小。

  • - 技术原理 -
    2019.Jun.11

    热分析 热分析与热传导之比热量测试技术分析

    本篇介绍DSC差示扫描量热法 与 Hot Disk瞬态平面热源法,比热容的测试原理及其实际测量的方式。

  • - 技术原理 -
    2019.May.09

    X-Ray CT 应用于电池缺陷检查

    有鉴于现在对于电池质量越来越重视,如何管控电池产品的不良也是目前许多客户的当务之急。让工业X-ray开始往高精密的解析方式来应用,其中电池就是一个很典型的案例。

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