X萤光-XRF 桌上型XRF全新改版升级EA系列

自去年Seiko正式与Hitachi合并后，日本日立Hitachi就积极研发有关新机台的设计与配套软体，于2013年底正式发售，并将其命名为EA系列XRF；新的仪器分为EA1000AIII及EA1000VX。EA1000AIII是升级版，而EA1000VX则是升级旗舰版，同时也沿用旧有的VX型号名称(Vortex Detector)，在软体与硬体方面Hitachi做了一些与以往不同的突破，同时在配件与标准品的方面也不断的改进，以求达到更多元与更专业的应用需求。

EA系列XRF在硬体架构上改变了光管的照射位置，由原本的斜角照射(如下图左)改为垂直的照射方式(如下图右)。为什么要由斜角改为垂直的照射?原因是X-Ray在照射时越是中心点的能量越强，改为垂直照射会将X-Ray的正中心点对准样品照射，这样出来的萤光讯号也会更多，同样的低浓度的检测也会相对容易许多。
 
除了光管照射的方式改变之外对于检测器也有所提升，检测器是收集讯号的部件；除传统的矽半导体检测器(Si-PIN) 外，目前新一代的矽飘移检测器(SDD)都是目前是检测市场上比较普遍看到的检测器，EA系列中的EA1000AIII搭载的是改良后的Si-PIN检测器，相较于传统的Si-PIN检测器，有较好的讯号接收能力，同一时间可接收的CPS值远高于EA1000AII；在相同的样品以及测试条件中，仅改变检测器的差异状况下，EA1000AIII的讯号强度明显优于SEA1000AII，所以在检测下限(LOD)的表现上， EA1000AIII确实是比较能够分析更低浓度的元素，其实际测试结果如下：



同样的EA1000VX搭载的是更高阶的矽飘移检测器(Silicon Drift Detector，简称SDD)，SDD有一个类似讯号加强的功能，所以可以将原本微弱的讯号进行放大，对于一些微量的测试需求基本上是可以直接进行量测，讯号强度达到15倍之多，同时能够检测的元素范围也比原本的Si-PIN更多。实际测试的结果如下图：



综合光管的照射位置加上检测器的改变，在过去的概念中，光束的照射面积越大讯号强度理论上会越高；但在测试中发现，当照射改为垂直照射并搭配新的SDD检测器，可以将这个差异有效的消除，实际测试结果如下图：



综合以上硬体的改变，EA系列的桌上型XRF确实改善了许多以往客户提出来的问题与解决方案，不管是在光管的重新设计还是到检测器的性能提升，都显示出Hitachi的改变与决心，希望能够从微小的差异中去改变，每一个小的细节都是科迈斯与Hitachi所重视的。
 

2014 Hitachi EA系列 XRF 产品系列
EA1000AIII	EA1000VX	EA1200VX