膜厚仪 利用FT150 / FT160测量陶瓷芯片部件中Sn/Ni 双层膜
作为层压陶瓷片式原器件电容器的代表，陶瓷片式原器件在智慧手机及车载计算机等的无中心部件的一种。近几年，由于产品的小型化多功能化，我们一步步进入高密度安装时代，部件本身就已经非常小。
这样的陶瓷片式原器件的电极部分许多都被使用了Sn和Ni双层膜，我们追求的就是对他们的膜厚管理。但是，由于Sn越厚，Sn对于Ni受到的荧光X射线吸收越强。Sn和 Ni的同时测量就比较困难。
FT150h配备了新型聚光光学系以及升级后的Vortex®检测器，对于从前机种难以测量的微小范围，实现了同时高精度测量更厚的Sn与它下面的Ni，此份资料中介绍了针对陶瓷片式原器件的疑似样品，Ag上的Sn/Ni双层膜的同时测量的案例。
Sn/Ni 双层膜的膜厚测量案例
■测量条件及标准物质
※ 以上仅为测量案例，并不能保证两装置的性能。
■测量条件及标准物质
| 装置 | FT150h |
|---|---|
| 管电压 | (DIHP) |
| 光束直径(※) | 35 μm φ |
| 一次滤波器 | Al1000 |
| 测量时间 | 30秒 |
| 测量方法 | 薄膜FP法 |
| 分析线 | Sn Ka Ni Ka Ag Ka |
| 作为标准物质、将日立高新技术科学制薄膜标准物质 Sn 4.61 μm, Ni 4.89 μm, Ag 8.95 μm 这3个种类重合在Al板上的物质登陆1点。 （※）指拥有30～40 keV能量的一次X射线中包涵了90%强度的直径 |
|
■测量样品
使用日立高新技术科学制薄膜标准物质，作为疑似样品对其进行评价。
| Sn(μm) | Ni(μm) | Ag(μm) | |
|---|---|---|---|
| (1) | 2.01 | 1.90 | 8.95 |
| (2) | 4.61 | 1.90 | 8.95 |
| (3) | 9.43 | 4.89 | 8.95 |
| 通过对Sn及Ni的不同厚度样品进行反复测量，即便是只有30秒的测量时间，也可得到不到4%的良好重复 性，另外，10 μm厚的Sn下面的Ni的测量结果也非常准确。 利用FT150h，针对从前机种难以测量的微小范围， 可实现对Sn和Ni的高精度双层同时测量。 |
|||
■Sn Ka的能谱比较
右边显示的是FT150h与以往机种FT9500X各自测量大约5 μm的Sn的能谱线。 FT150h利用新型聚光光学系系Vortex检测器，大幅提升了从前测量困难的Sn Ka线的灵敏度。
■各测量样品的10次反复测量结果
各测量样品各进行10次反复测量，评价Sn和Ni的正确性和重复性。
| 表3 測量樣品(1)的反覆測量結果 | |||
| Sn(μm) | Ni(μm) | Ag(μm) | |
| 平均值 | 2.01 | 1.94 | 8.89 |
| 標準偏差 | 0.051 | 0.037 | 0.046 |
| RSD% | 2.5% | 1.9% | 0.5% |
| 表3 測量樣品(2)的反覆測量結果 | |||
| Sn(μm) | Ni(μm) | Ag(μm) | |
| 平均值 | 4.63 | 1.93 | 8.82 |
| 標準偏差 | 0.049 | 0.043 | 0.050 |
| RSD% | 1.1% | 2.2% | 0.6% |
| 表3 測量樣品(3)的反覆測量結果 | |||
| Sn(μm) | Ni(μm) | Ag(μm) | |
| 平均值 | 9.36 | 4.65 | 8.84 |
| 標準偏差 | 0.068 | 0.164 | 0.122 |
| RSD% | 0.7% | 3.5% | 1.4% |
※ 以上仅为测量案例，并不能保证两装置的性能。
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